Doping in III-V Semiconductors

Doping in III-V Semiconductors（Cambridge Studies in Semiconductor Physics and Microelectronic Engineering）

III-V
凝聚态物理学

售价：

发货周期：预计5-7周发货

作者

E. F. Schubert

出版社

Cambridge University Press

出版时间

2005年08月01日

装帧

ＩＳＢＮ

9780521017848

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页码

632

开本

228

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图书简介

This is the first book to describe thoroughly the many facets of doping in compound semiconductors. Equal emphasis is given to the fundamental materials physics and to the technological aspects of doping. The various techniques and the key characteristics of dopants that are employed in III?V semiconductors are presented.

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