This is the first book dedicated exclusively to epitaxial graphene on silicon carbide (EG-SiC). It addresses comprehensively all aspects relevant for the study and technology development of EG materials and their applications. It includes the state of the art on the synthesis of EG-SiC, which is profusely explained as a function of SiC substrate characteristics, such as polytype, polarity, and wafer cut, as well as both in situ and ex situ conditioning techniques, including H2 pre-deposition annealing, chemical mechanical polishing, etc.

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