The MOS System

图书简介

A detailed, up-to-date guide to modern MOS structures, describing key tools, cutting-edge models, novel phenomena and challenges for future development. Abstract concepts are supported by practical examples and presented alongside recent theoretical and experimental results. An ideal companion for researchers, graduate students and industrial development engineers.

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1. Introduction; 2. Basic properties of the MOS system; 3. Basic properties of the gate stack; 4. Electron states at MOS interfaces; 5. Carrier capture at bulk oxide traps; 6. Electrical characterization by Fermi-probe technique; 7. Electrical characterization by thermal action; 8. Characterization of oxide/silicon energy band alignment: internal photoemission and x-ray photoelectron spectroscopy; 9. Electron spin resonance; 10. MOS systems with silicon dioxide dielectrics; 11. MOS systems with high-k dielectrics; 12. Gate metals and effective work function; 13. Transmission probabilities and current leakage in gate oxides; 14. MOS systems on high-mobility channel materials.

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The MOS System 光电子学与激光技术

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