This book focuses on the spintronic properties of III–V nitride semiconductors. As wide-bandgap III–nitride nanostructures are relatively new materials, particular attention is paid to the comparison between zinc blende GaAs- and wurtzite GaN-based structures, where the Rashba spin–orbit interaction plays a crucial role in voltage-controlled spin engineering. The book also deals with topological insulators, a new class of materials that could deliver sizable Rashba spin splitting in the surface electron spectrum when implemented into a gated device structure.

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