Novel Three-state Quantum Dot Gate Field Effect Transistor

新型三态量子点门场效应晶体管:制作、建模与应用

光电子学与激光技术

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作      者
出  版 社
出版时间
2013年12月15日
装      帧
精装
ISBN
9788132216346
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页      码
134
语      种
英语
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图书简介
The book presents the fabrication and circuit modeling of quantum dot gate field effect transistor (QDGFET) and quantum dot gate NMOS inverter (QDNMOS inverter). It also introduces the development of a circuit model of QDGFET based on Berkley Short Channel IGFET model (BSIM). Different ternary logic circuits based on QDGFET are also investigated in this book. Advanced circuit such as three-bit and six bit analog-to-digital converter (ADC) and digital-to-analog converter (DAC) were also simulated.
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